半導體制程中硅烷（SiH4）是一種特種氣體，在半導體工業(yè)中主要用于制作高純多晶硅、通過CVD（化學氣相沉積）工藝制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔離層、多晶硅歐姆接觸層和異質(zhì)等。

廢氣處理設(shè)備處理SIH4廢氣：

硅烷（SiH4）在使用后會產(chǎn)生的廢氣，如果未經(jīng)廢氣處理設(shè)備治理就直接高濃度對外排放，對人體和環(huán)境的惡劣影響是無法估量的。

硅烷作為一種提供硅組分的氣體源，反應(yīng)性和自燃性強烈，有非常寬的自發(fā)著火范圍和極強的燃燒能量，毒性很大，如果人體吸入硅烷就會強烈刺激呼吸器官，是一種高危險性的氣體。

在半導體工廠中，因工作區(qū)域一般離中心廢氣處理系統(tǒng)遠，為了避免在冗長的排氣過程中引發(fā)非預期的氣體泄漏，局部聚積等問題，硅烷（SiH4）廢氣從無塵室機臺端（POU）反應(yīng)被排放出后，即先由真空Pump抽至廢氣處理設(shè)備Local Scrubber做處理，待處理過后的氣體再接續(xù)至廠務(wù)端做第二道處置。

廢氣處理設(shè)備

硅烷(SIH4)廢氣處理的危險性有多大？

綜上，諸如硅烷（SiH4）此類危險性廢氣如若未及時處理，倘若其一旦有故障進而發(fā)生泄漏的問題，很可能會導致各種危害如火災(zāi)爆炸、人員中毒、環(huán)境破壞等傷害，嚴重時更可能造成人員傷亡或生產(chǎn)中斷等巨大損失。同時，隨著半導體工藝分工越發(fā)細微，應(yīng)根據(jù)不同工藝衍生出來的氣體特性，選擇搭配合適的廢氣處理設(shè)備，才能更有效的解決廢氣問題。

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